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不同磁化水處理對有益微生物(苜蓿根瘤菌)生長及功能的影響——結果與分析

來源:西北農業學報 發布時間:2025-06-13 16:02:30 瀏覽:8 次

2結果與分析


2.1磁化水處理對苜蓿根瘤菌S.meliloti XGL026生長的影響


用磁化水和普通水制備的培養基培養苜蓿根瘤菌S.melilotiXGL 026,定期檢測根瘤菌菌液濃度及活菌數的動態變化(圖1、圖2)。結果表明,在普通水培養基中,接種后培養8 h的菌體濃度迅速增長至OD值0.320,48 h后達到最高生長量(OD600nm=1.534)。在4 000 Gs磁化1次(T1)、2次(T2)、3次(T3)的磁化水培養基中,菌體生長更為迅速,培養8 h的菌液OD值分別達0.674、0.923、1.730。T1、T2磁化水培養至48 h時菌體濃度達到最高,OD值分別為1.810、

圖1磁化水處理對根瘤菌菌液濃度的影響

圖2磁化水處理對根瘤菌活菌數的影響


1.900,T3處理達到菌體最高生長量的時間提前至32 h(OD600nm=2.016)。磁化水對枯草桿菌活菌數影響的測定結果與菌液濃度變化相符合。由圖2可見,在磁化水培養基中,根瘤菌生長繁殖速度加快,0~48 h的培養周期中活菌數均高于普通水對照。培養48 h時,T1處理和普通水對照活菌數均達到最高值,T1較對照增加11.02%;T2、T3處理在40 h時活菌數達到最高值,較對照分別提高76.92%、72.47%。


2.2磁化水對苜蓿根瘤菌結瘤的影響


在盆栽苜蓿上接種由綠色熒光蛋白基因GFP標記的根瘤菌株S.melilotiXGL 026-GFP,以磁化水或普通水灌溉,定期檢測其在苜蓿根上的結瘤數(表1)。結果表明,接種磁化水培養的根瘤菌能顯著增加苜蓿結瘤數(P<0.05),各處理的結瘤數每株增加5~11個(平均8個),其中接種T3磁化水培養的根瘤菌+T3磁化水灌溉苜蓿處理(T3培養+T3磁化水灌溉)的結瘤數增幅最顯著(P<0.01)。接種后采用磁化水澆灌的苜蓿結瘤數略高于用普通水澆灌,但差異不大(P>0.05)。

表1磁化水處理對苜蓿結瘤數的影響


注:不同小寫字母表示處理間差異顯著(P<0.05),不同大寫字母表示處理間差異極顯著(P<0.01)。下表同。


2.3磁化水對生防枯草桿菌B.subtilis 2-4菌株生長的影響


測定生防枯草桿菌在磁化水培養基中菌體濃度和活菌數的動態變化(圖3,圖4)。結果表明,在普通水培養基中,接種后培養8 h的菌體濃度迅速增長至OD值0.833,24 h后即達到最高生長量(OD600nm=1.816);而4 000 Gs磁化1次(T1)、2次(T2)、3次(T3)和20 000 Gs磁化1次(T4)的磁化水培養基中,菌體濃度增長遲緩,培養8 h的OD值依次為0.483、0.189、0.234和0.221,達到菌體最高生長量的時間延遲到32 h,OD值分別為1.754、1.83、1.437和1.256,說明T1、T2磁化水在枯草桿菌生長前期對菌體生長繁殖具有一定抑制作用,但隨著生長期延長抑制作用減弱,對菌體生長量的影響不大。T3、T4處理則對枯草桿菌的整個生長期都有明顯的抑制作用,并顯著降低其生長量,其中T4處理達到極顯著水平(P<0.01)。磁化水對枯草桿菌活菌數影響的測定結果也顯示相似的特點。由圖4可見,在磁化水培養基中,接種后培養8 h的枯草桿菌增長速度較普通水降低。培養32 h后活菌數達到最高值,T1、T2處理較對照增加6.48%、8.48%,但T3和T4較對照降低33.17%和93.52%。


2.4磁化水處理對枯草芽孢桿菌B.subtilis 2-4菌株抑菌效果的影響


根據前期試驗結果,選取對枯草芽孢桿菌生長有促進作用的T1處理和有顯著抑制作用的T3、T4處理,測定其對棉花黃萎菌抑菌效果的影響(表2)。從表2可以看出,與普通水對照相比,T1磁化水處理能提高枯草桿菌的抑菌作用,抑菌圈半徑較對照增大。而T3和T4磁化水處理,其抑菌圈半徑較對照分別減小44.5%和49.6%,對棉花黃萎菌的抑菌效果顯著減弱(P<0.01)。

圖3磁化水對枯草桿菌2-4細胞濃度的影響

圖4磁化水對枯草桿菌2-4活菌數的影響


處理Treatment抑菌圈半徑/mmTheantibacterialcircleradius普通水對照Theordinarywater(CK)17.19±0.008cC4000Gs磁化1次(T1)4000Gsmagnetizationforonetime(T1)17.32±0.001cC4000Gs磁化3次(T3)4000Gsmagnetizationforthreetimes(T3)9.54±0.001bB20000Gs磁化1次(T4)20000Gsmagnetizationforonetime(T4)8.66±0.001aA


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